IRFR5410 smd

Symbol Micros: TIRFR5410
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7334 0,4584 0,3667 0,3277 0,3186
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Standard-Verpackung:
150
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
3750 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5605
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4197
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5410TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
56000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3186
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 205mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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