IRFR5505

Symbol Micros: TIRFR5505 TEC

Gehäuse: TO252

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 8,5A; 60W; -55°C~175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-12-31

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT