IRFR6215
Symbol Micros:
TIRFR6215
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 580 mOhm; 13A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR6215TRPBF; IRFR6215PBF; IRFR6215PBF-GURT; IRFR6215TRLPBF; IRFR6215TRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 580mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 580mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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