G2K8P15K

Symbol Micros: TIRFR6215 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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MOSFET-Transistor; TO-252; P-Channel; NO ESD; -150V; -12A; 59W; -2.2V; 310mOhm IRFR6215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 310mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 310mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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