IRFR7540TRPBF

Symbol Micros: TIRFR7540

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,2 mOhm; 110A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR7540PBF-GURT; IRFR7540TRLPBF; IRFR7540TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,2mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7540 RoHS Gehäuse: DPAK t/r

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2489	0,8756	0,7442	0,6808	0,6573

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7540TRPBF Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6573

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7540TRPBF Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6573

Widerstand im offenen Kanal:	5,2mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD