IRFR9014

Symbol Micros: TIRFR9014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 5.1A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9014PBF; IRFR9014TRLPBF; IRFR9014TRPBF; IRFR9014PBF-BE3; IRFR9014TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR9014 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
1990 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6775 0,4282 0,3388 0,3082 0,2941
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR9014PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
825 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3367
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR9014PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3020 stk.
Anzahl Stück 525+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2941
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD