IRFR9024NTRPBF

Symbol Micros: TIRFR9024n c

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; IRFR9024NTRPBF; CJU12P10; IRFR9024N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	8,8A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO-252
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5822	0,3498	0,2676	0,2418	0,2324

Widerstand im offenen Kanal:	280mOhm
Max. Drainstrom:	8,8A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO-252
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD