IRFR9024NTRPBF

Symbol Micros: TIRFR9024N VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
TO-252 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD