IRFR9024

Symbol Micros: TIRFR9024pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 280 mOhm; 8,8A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR2024TRPBF; IRFR9024PBF; IRFR9024TRLPBF; IRFR9024TRRPBF; IRFR9024PBF-GURT; IRFR9024TRPBF; IRFR9024TRPBF-BE3; IRFR 9024 PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD