IRFR9024
Symbol Micros:
TIRFR9024pbf
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 280 mOhm; 8,8A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR2024TRPBF; IRFR9024PBF; IRFR9024TRLPBF; IRFR9024TRRPBF; IRFR9024PBF-GURT; IRFR9024TRPBF; IRFR9024TRPBF-BE3; IRFR 9024 PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFR9024PBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Auf Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 375+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8122 | 0,6029 | 0,4482 | 0,3845 | 0,3526 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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