IRFR9110
Symbol Micros:
TIRFR9110
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 3.1A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9110TRLPBF; IRFR9110PBF; IRFR9110TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR9110PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1575 stk.
| Anzahl Stück | 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2326 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR9110TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2309 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR9110PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
3215 stk.
| Anzahl Stück | 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2309 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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