IRFRC20 smd

Symbol Micros: TIRFRC20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 4,4 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFRC20TRPBF; IRFRC20TRRPBF; IRFRC20TRLPBF; IRFRC20PBF; IRFRC20PBF-BE3; IRFRC20TRLPBF-BE3; IRFRC20TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFRC20PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8399 0,6234 0,4611 0,3952 0,3646
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75/1050
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFRC20TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
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2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3646
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFRC20TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
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4000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3646
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFRC20PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
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Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
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25
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-04-17
Anzahl Stück: 150
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Transistortyp: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Spannung Drain-Source: 600V
Drainstrom: 2A
Leistung: 42W
Durchgangswiderstand: 4.4Ω
Gehäuse: TO252t/r
Montage: SMD