IRFRC20 smd
Symbol Micros:
TIRFRC20
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 4,4 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFRC20TRPBF; IRFRC20TRRPBF; IRFRC20TRLPBF; IRFRC20PBF; IRFRC20PBF-BE3; IRFRC20TRLPBF-BE3; IRFRC20TRPBF-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFRC20PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1150 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3096 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-11-30
Anzahl Stück: 1050
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Ausführliche Beschreibung
Transistortyp: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Spannung Drain-Source: 600V
Drainstrom: 2A
Leistung: 42W
Durchgangswiderstand: 4.4Ω
Gehäuse: TO252t/r
Montage: SMD
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