IRFS3004-7P

Symbol Micros: TIRFS3004-7P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,25 mOhm; 400A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3004-7PBF-GURT; IRFS3004TRL7PP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25mOhm
Max. Drainstrom: 400A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,25mOhm
Max. Drainstrom: 400A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD