IRFS3107
Symbol Micros:
TIRFS3107
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3mOhm; 230A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3107PBF; IRFS3107TRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 230A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFS3107TRL RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,7774 | 3,3567 | 3,1061 | 2,9808 | 2,9052 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3107TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1280 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,9052 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS3107TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
7200 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,9052 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 230A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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