IRFS3307Z

Symbol Micros: TIRFS3307Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 75V 120A 230W IRFS3307ZTRRPBF IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS3307ZTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9677
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD