IRFS4010
Symbol Micros:
TIRFS4010
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,7 mOhm; 180A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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