IRFS4010

Symbol Micros: TIRFS4010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,7 mOhm; 180A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Max. Drainstrom: 180A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHINA BRAND
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9263 0,6160 0,5087 0,4597 0,4410
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Max. Drainstrom: 180A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHINA BRAND
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole