IRFS4010

Symbol Micros: TIRFS4010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,7 mOhm; 180A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHINA BRAND
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9291 0,6179 0,5102 0,4611 0,4423
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
3200 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9427
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1010 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,4046
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: CHINA BRAND
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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