IRFS4010-7P

Symbol Micros: TIRFS4010-7P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET 190A 100V 380W IRFS4010TRL7PP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD