IRFS4010

Symbol Micros: TIRFS4010 INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,7mOhm; 180A; 375W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
32000 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3877
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4010TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
510 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,0440
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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