IRFS4115
Symbol Micros:
TIRFS4115
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 12,1 mOhm; 99A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4115TRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 99A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4115TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2668 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4115TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
4800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1057 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 99A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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