IRFS4115-7P
Symbol Micros:
TIRFS4115-7P
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11,8 mOhm; 105A; 380 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4115TRL7PP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 105A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
| Gehäuse: | TO263/7 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 105A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 380W |
| Gehäuse: | TO263/7 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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