IRFS4127
Symbol Micros:
TIRFS4127
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4127PBF; IRFS4127TRLPBF; IRFS4127PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 72A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 72A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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