IRFS4229

Symbol Micros: TIRFS4229
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 250V 45A 330W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4229TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3344
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: SMD

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