IRFS4410

Symbol Micros: TIRFS4410

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4410PBF; IRFS4410TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	96A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	96A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD