GT080N10M

Symbol Micros: TIRFS4510 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263
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MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 70A; 100 W; 2V; 9,5mOhm SUM60N10-17; IRFS4510PbF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO263
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO263
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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