IRFS4615
Symbol Micros:
TIRFS4615
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 34,5 mOhm; 33A; 144W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRFS4615TRLPBF; IRFS4615PBF; IRFS4615PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 34,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9109 | 1,5236 | 1,3053 | 1,1714 | 1,1245 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
260 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1245 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1245 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 34,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 144W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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