IRFS4615

Symbol Micros: TIRFS4615
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 34,5 mOhm; 33A; 144W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRFS4615TRLPBF; IRFS4615PBF; IRFS4615PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9321 1,5404 1,3197 1,1844 1,1369
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 34,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole