IRFS4615

Symbol Micros: TIRFS4615
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 34,5 mOhm; 33A; 144W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRFS4615TRLPBF; IRFS4615PBF; IRFS4615PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9041 1,5181 1,3006 1,1673 1,1205
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
310 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1205
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1205
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS4615TRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
25600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1205
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 34,5mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT