IRFS7430

Symbol Micros: TIRFS7430
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 930 mOhm; 522A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS74307PPBF; IRFS7430-7PPBF; IRF7430PBF; IRFS7430TRL7PP; IRFS7430TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 930mOhm
Max. Drainstrom: 522A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 930mOhm
Max. Drainstrom: 522A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD