IRFS7430

Symbol Micros: TIRFS7430
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 930 mOhm; 522A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS74307PPBF; IRFS7430-7PPBF; IRF7430PBF; IRFS7430TRL7PP; IRFS7430TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 930mOhm
Max. Drainstrom: 522A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7430TRL7PP Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
6400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6130
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7430TRLPBF Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1645
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 930mOhm
Max. Drainstrom: 522A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD