IRFS743434TRL7PP

Symbol Micros: TIRFS7434-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK/7
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,5 mOhm; 362A; 245 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFS7434-7PBF-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7PBF-GURT; IRFS7434-7PPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5mOhm
Max. Drainstrom: 362A
Maximaler Leistungsverlust: 245W
Gehäuse: D2PAK/7
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFS7434TRL7PP RoHS Gehäuse: D2PAK/7 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8699 1,4851 1,3174 1,2584 1,2466
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7434TRL7PP Gehäuse: D2PAK/7  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2466
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7434TRL7PP Gehäuse: D2PAK/7  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3239
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,5mOhm
Max. Drainstrom: 362A
Maximaler Leistungsverlust: 245W
Gehäuse: D2PAK/7
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD