IRFS7530PBF

Symbol Micros: TIRFS7530

Gehäuse: D2PAK

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,1 mOhm; 295A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS7530TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,1mOhm
Max. Drainstrom:	295A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRLPBF Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1391

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRLPBF Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

870 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3602

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFS7530TRLPBF Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1865

Widerstand im offenen Kanal:	2,1mOhm
Max. Drainstrom:	295A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD