IRFS9N60A smd
Symbol Micros:
TIRFS9N60A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 9,2A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFS9N60APBF; IRFS9N60ATRRPBF; IRFS9N60ATRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFS9N60APBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9996 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFS9N60APBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
424 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1482 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFS9N60APBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1404 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0726 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFS9N60APBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
10404 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0875 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 170W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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