IRFSL11N50A
Symbol Micros:
TIRFSl11n50a
Gehäuse: TO262
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 550 mOhm; 11A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFSL11N50APBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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