IRFSL3207Z
Symbol Micros:
TIRFSl3207z
Gehäuse: TO262
N-MOSFET 75V 120A 300W
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole