IRFSL9N60A smd

Symbol Micros: TIRFSl9n60a

Gehäuse: TO262

N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 9,2A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; IRFSL9N60A; IRFSL9N60APBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	750mOhm
Max. Drainstrom:	9,2A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO262
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	750mOhm
Max. Drainstrom:	9,2A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO262
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT