IRFTS9342
Symbol Micros:
TIRFTS9342
Gehäuse: TSOP06
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 66mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer: TPIRFTS9342TRPBF RoHS
Gehäuse: TSOP06 t/r
Auf Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2890 | 0,1546 | 0,1203 | 0,1088 | 0,1052 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFTS9342TRPBF
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
495000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1052 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 66mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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