IRFTS9342

Symbol Micros: TIRFTS9342

Gehäuse: TSOP06

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	66mOhm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: TPIRFTS9342TRPBF RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2606	0,1385	0,1080	0,0977	0,0944

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFTS9342TRPBF Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0976

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFTS9342TRPBF Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

483000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1028

Widerstand im offenen Kanal:	66mOhm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD