IRFU014PBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFU014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200 mOhm; 7,7A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU014PBF RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8515 0,5669 0,4599 0,4234 0,4052
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU014PBF RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8515 0,5646 0,4644 0,4234 0,4052
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU014PBF Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
4345 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4052
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT