IRFU014PBF VISHAY
Symbol Micros:
TIRFU014
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200 mOhm; 7,7A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU014PBF RoHS
Gehäuse: IPAK
Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8632 | 0,5747 | 0,4662 | 0,4293 | 0,4108 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU014PBF RoHS
Gehäuse: IPAK
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8632 | 0,5724 | 0,4708 | 0,4293 | 0,4108 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFU014PBF
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
5845 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4108 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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