IRFU110

Symbol Micros: TIRFU110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU110PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU110PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5348 0,3237 0,2392 0,2212 0,2134
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole