IRFU120

Symbol Micros: TIRFU120

Gehäuse: TO251 (IPACK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 7,7A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU120PBF; IRFU120PBF-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	7,7A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRFU120PBF-VB RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)

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45 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	45+	180+
Nettopreis (EUR)	0,8733	0,6409	0,5118	0,4413	0,4155

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	7,7A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT