IRFU120NPBF

Name: TIRFU120n TIRFU120n
Brand: Infineon
SKU: TIRFU120n
Price: 0.3466 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFU120n

Gehäuse: TO251 (IPACK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU120NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	9,4A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU120N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	0,7753	0,5762	0,4263	0,3654	0,3373

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU120NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

1155 stk.

Anzahl Stück	15+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3466

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU120NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3373

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	9,4A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT