IRFU120NPBF

Symbol Micros: TIRFU120n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU120NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU120N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7856 0,5839 0,4320 0,3703 0,3418
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole