IRFU1N60APBF

Symbol Micros: TIRFU1N60A
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 7Ohm; 1,4A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60A RoHS Gehäuse: IPAK  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8988 0,5647 0,4800 0,4165 0,3906
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60APBF Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1050+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3906
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT