IRFU1N60APBF

Symbol Micros: TIRFU1N60A

Gehäuse: IPAK

N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 7Ohm; 1,4A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	IPAK
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU1N60A RoHS Gehäuse: IPAK

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	25+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8974	0,5638	0,4793	0,4158	0,3900

Widerstand im offenen Kanal:	7Ohm
Max. Drainstrom:	1,4A
Maximaler Leistungsverlust:	36W
Gehäuse:	IPAK
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT