IRFU220N

Symbol Micros: TIRFU220n

Gehäuse: TO251 (IPACK)

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU220NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU220NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt

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75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	75+	150+	750+
Nettopreis (EUR)	0,9281	0,5863	0,4462	0,4272	0,4035

Widerstand im offenen Kanal:	600mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	43W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT