IRFU3607

Symbol Micros: TIRFU3607
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU3607PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU3607PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8972 0,5958 0,4937 0,4510 0,4272
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Standard-Verpackung:
75/450
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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