IRFU3910

Symbol Micros: TIRFU3910
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 115 mOhm; 16A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU3910PBF; SP001578380;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU3910PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8909 0,6629 0,4889 0,4184 0,3878
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Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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