IRFU4105Z

Symbol Micros: TIRFU4105z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 24,5 mOhm; 30A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU4105ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 24,5mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU4105ZPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8649 0,5721 0,4737 0,4302 0,4119
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 24,5mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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