IRFU420

Symbol Micros: TIRFU420
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU420PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU420 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6504 0,4818 0,3560 0,3062 0,2825
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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