IRFU420

Symbol Micros: TIRFU420
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU420PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU420 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6324 0,4685 0,3462 0,2977 0,2746
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1475 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4518
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU420PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
214950 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2746
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT