IRFU420A

Symbol Micros: TIRFU420a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 3,3A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU420APBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU420A RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 225+
Nettopreis (EUR) 0,9057 0,5969 0,4932 0,4494 0,4310
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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