IRFU4510PBF
Symbol Micros:
TIRFU4510
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 13,9 mOhm; 63A; 143W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 63A |
Maximaler Leistungsverlust: | 143W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFU4510PBF RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4073 | 0,9821 | 0,8341 | 0,7706 | 0,7401 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU4510PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
225 stk.
Anzahl Stück | 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7401 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU4510PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
2850 stk.
Anzahl Stück | 225+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7401 |
Widerstand im offenen Kanal: | 13,9mOhm |
Max. Drainstrom: | 63A |
Maximaler Leistungsverlust: | 143W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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