IRFU4510PBF

Symbol Micros: TIRFU4510
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 13,9 mOhm; 63A; 143W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,9mOhm
Max. Drainstrom: 63A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU4510PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4073 0,9821 0,8341 0,7706 0,7401
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU4510PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
225 stk.
Anzahl Stück 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7401
Standard-Verpackung:
15
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU4510PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
2850 stk.
Anzahl Stück 225+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7401
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,9mOhm
Max. Drainstrom: 63A
Maximaler Leistungsverlust: 143W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT