IRFU4615

Symbol Micros: TIRFU4615
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 42mOhm; 33A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU4615PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU4615PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
71 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1606 0,8105 0,6883 0,6367 0,6108
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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