IRFU5305
Symbol Micros:
TIRFU5305
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU5305PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1571 | 0,7659 | 0,6324 | 0,5762 | 0,5504 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
285 stk.
| Anzahl Stück | 15+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5504 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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