IRFU5305

Name: TIRFU5305 TIRFU5305
Brand: Infineon
SKU: TIRFU5305
Price: 0.5517 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFU5305

Gehäuse: TO251 (IPACK)

P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFU5305PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	1,1597	0,7677	0,6338	0,5775	0,5517

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

285 stk.

Anzahl Stück	15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5517

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU5305PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

32393 stk.

Anzahl Stück	375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5517

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT