IRFU5410PBF

Symbol Micros: TIRFU5410

Gehäuse: TO251 (IPACK)

P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	205mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	66W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU5410PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

285 stk.

Anzahl Stück	15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6724

Widerstand im offenen Kanal:	205mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	66W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT