IRFU9024

Symbol Micros: TIRFU9024
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 280 mOhm; 8,8A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU9024PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU9024N RoHS IRFU9024 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
1 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 150+ 525+
Nettopreis (EUR) 0,5693 0,3576 0,2705 0,2588 0,2470
Standard-Verpackung:
75/525
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFU9024N RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,5693 0,4211 0,3129 0,2682 0,2470
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU9024PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
3434 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2470
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFU9024PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2470
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFU9024PBF Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
13500 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2470
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-03
Anzahl Stück: 150
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT