IRFU9024NPBF

Name: TIRFU9024n TIRFU9024n
Brand: Infineon
SKU: TIRFU9024n
Price: 0.2807 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFU9024n

Gehäuse: TO251 (IPACK)

P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	175mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	0,6456	0,4795	0,3556	0,3041	0,2807

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

29756 stk.

Anzahl Stück	675+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2807

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

1230 stk.

Anzahl Stück	15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2807

Widerstand im offenen Kanal:	175mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT