IRFU9024NPBF

Name: TIRFU9024n TIRFU9024n
Brand: International Rectifier
SKU: TIRFU9024n
Price: 0.2839 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFU9024n

Gehäuse: TO251 (IPACK)

P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	175mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt

Auf Lager:

125 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	75+	300+	1200+
Nettopreis (EUR)	0,6532	0,4131	0,3162	0,2931	0,2839

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

1650 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2839

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	525+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2839

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

2100 stk.

Anzahl Stück	15+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2839

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

6575 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2839

Widerstand im offenen Kanal:	175mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT