IRFU9024NPBF

Symbol Micros: TIRFU9024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFU9024NPBF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,5578 0,4130 0,3062 0,2611 0,2421
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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