IRFU9120

Symbol Micros: TIRFU9120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 600 mOhm; 5,6A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU9120PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT